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现在的存储技术有两种，一种是以内存为代表的易失性存储，速度很快，但断电后数据就没有，无法保存;另一种是以U盘为代表的非易失性存储，断电后依然能够保存数据，但缺点就是读写速度慢。
复旦大学微电子学院的团队则研发出了第三种存储技术，既能保证超高的读写速度，又能保证断电后数据不会丢失。据团队人员介绍，基于这项技术制作的存储元器件，其写入速度将会比普通U盘快上10000倍。
而且这项技术还有比较厉害的地方，那就是能够按需对数据的存储时长进行调整。它的原理是，这种技术采用了多重二维半导体材料，只要通过对材料比例的控制，便可以控制写入速度与断电数据保留时长的比例。
目前这项技术还仅仅存在于实验室中，不过这项技术诞生于中国复旦大学，看来中国研发已经看齐世界水平。
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